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 常見(jiàn)電源層噪聲來(lái)源

   電源層與地層之間的耦合不足 ：如果電源層和地層之間的距離較遠(yuǎn)，或者兩者之間的介質(zhì)較厚，會(huì)增加電源阻抗，導(dǎo)致噪聲容易產(chǎn)生和傳播。

   電源層分割不合理 ：多電源域分割時(shí)，若分割間距過(guò)小或跨分割信號(hào)線(xiàn)處理不當(dāng)，易引發(fā)跨分割噪聲。

   去耦電容布局不合理 ：去耦電容未能有效濾除電源噪聲，或者去耦電容的布局和選型不當(dāng)。

 電源層噪聲抑制的有效手段

 優(yōu)化電源層與地層布局

   縮小電源層與地層間距 ：通過(guò)減小電源層與地層之間的間距，可增強(qiáng)兩者的耦合，降低電源阻抗。例如，在四層板設(shè)計(jì)中，可將電源層與地層相鄰放置且間距設(shè)為 0.5mm - 1mm 左右，以提高電源的穩(wěn)定性。

   增加電源層與地層的耦合面積 ：合理規(guī)劃電源層與地層的形狀和布局，使其在盡可能大的面積上相互耦合，以增強(qiáng)電源的穩(wěn)定性。

 合理分割電源層

   保持分割間距≥2mm ：在進(jìn)行多電源域分割時(shí)，確保不同電源區(qū)域之間的間距不小于 2mm。這可以有效降低電源層之間的相互干擾，減少跨分割噪聲的產(chǎn)生。

   跨分割信號(hào)線(xiàn)下方增加跨接電容（如 0.1μF） ：在信號(hào)線(xiàn)跨越不同電源分割區(qū)域的位置，放置跨接電容?？缃与娙菽軌蛱峁┮粋€(gè)低阻抗的回流路徑，抑制噪聲的傳播。

 優(yōu)化去耦電容設(shè)計(jì)

   選擇合適的去耦電容值和封裝 ：根據(jù)實(shí)際的電源頻率和噪聲特性，選擇合適的去耦電容值和封裝形式。一般來(lái)說(shuō)，對(duì)于高頻噪聲，可選擇 0.1μF 左右的瓷片電容；對(duì)于低頻噪聲，可適當(dāng)增加電容值。

   合理布局去耦電容 ：將去耦電容盡量靠近電源引腳放置，以減小電源引線(xiàn)的長(zhǎng)度和阻抗。每個(gè)電源引腳附近都應(yīng)放置去耦電容，以確保電源的穩(wěn)定性。

 增加濾波電路

   在電源入口處增加濾波電感和電容 ：在電源進(jìn)入 PCB 的位置，增加濾波電感和電容，可有效濾除電源線(xiàn)上的噪聲。例如，可使用一個(gè) 10μH 左右的電感與一個(gè) 10μF 左右的電容組成 LC 濾波電路，對(duì)電源進(jìn)行濾波。

   采用多級(jí)濾波 ：對(duì)于噪聲要求較高的電路，可以采用多級(jí)濾波。先使用大電容濾除低頻噪聲，再使用小電容濾除高頻噪聲，以達(dá)到更好的濾波效果。

 采用屏蔽和隔離技術(shù)

   使用屏蔽罩 ：對(duì)于一些對(duì)噪聲敏感的電路模塊，可以在其上方放置屏蔽罩。屏蔽罩接地良好，能夠有效阻擋外部電磁干擾，減少電源層噪聲對(duì)電路的影響。

   使用隔離器件 ：在電源線(xiàn)路中，使用隔離變壓器、光耦等隔離器件，可以有效隔離噪聲，防止噪聲在不同電源域之間傳播。 

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