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為什么IC需要自己的去耦電容?

  • 2022-12-15 15:00:00
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 為了保證高頻輸入和輸出。


  每個(gè)集成電路(IC)都必須使用電容將各電源引腳連接到器件上的地,原因有二:防止噪聲影響其本身的性能,以及防止它傳輸噪聲而影響其它電路的性能。


  電力線就像天線一樣,可能會(huì)拾取其它地方的高頻(HF)噪聲,然后通過(guò)電場(chǎng)、磁場(chǎng)、電磁場(chǎng)和直接傳導(dǎo)等方式耦合到系統(tǒng)中。電源端的高頻噪聲會(huì)影響許多電路的性能,因此,必須將IC電源上存在的任何高頻噪聲短接到地。為實(shí)現(xiàn)噪聲短接,我們不能使用導(dǎo)體,因?yàn)樗鼤?huì)造成直流短路,燒毀保險(xiǎn)絲,但可以使用電容(通常為1nF至100nF),它不僅能隔直,而且能實(shí)現(xiàn)高頻噪聲的短路連接。


  1cm導(dǎo)線或PC走線具有大約8nH的電感(5Ω、100MHz時(shí)),很難形成短路。用作高頻短路的電容必須具有較低的引線和PC走線電感,因此,各電源電容必須非??拷ヱ畹腎C的兩個(gè)引腳。選擇內(nèi)部電感較低的電容也很重要,通常使用陶瓷電容。


  許多IC中的電路會(huì)在電源端產(chǎn)生高頻噪聲,這種噪聲也必須通過(guò)跨接在電源上的電容進(jìn)行短路,以免破壞系統(tǒng)的其它部分。同樣,引線和PC走線的長(zhǎng)度至關(guān)重要:一方面,長(zhǎng)引線會(huì)充當(dāng)電感,使短路不夠理想;另一方面,長(zhǎng)導(dǎo)體會(huì)充當(dāng)天線,通過(guò)電場(chǎng)、磁場(chǎng)和電磁場(chǎng)等方式將高頻噪聲傳輸?shù)较到y(tǒng)的其它部分。


  因此,每個(gè)IC的每個(gè)電源引腳都應(yīng)通過(guò)電感非常低的電容連接到IC的地引腳,地引腳可能有多個(gè),必須利用較寬的低電感PC走線將所有地引腳接合在一起,使之成為單個(gè)低阻抗等電位星型接地點(diǎn),這一點(diǎn)非常重要。
  

采用去耦和不采用去耦的緩沖電路(測(cè)量結(jié)果)

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為帶去耦電容器和不帶去耦電容器(C1 和C2)情況下用于驅(qū)動(dòng) R-C 負(fù)載的緩沖電路。我們注意到,在不使用去耦電容器的情況下,電路的輸出信號(hào)包含高頻 (3.8MHz) 振蕩。對(duì)于沒(méi)有去耦電容器的放大器而言,通常會(huì)出現(xiàn)穩(wěn)定性低、瞬態(tài)響應(yīng)差、啟動(dòng)出現(xiàn)故障以及其它多種異常問(wèn)題。


帶去耦合和不帶去耦合情況下的電流
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電源線跡的電感將限制暫態(tài)電流。 去耦電容與器件非常接近,因此電流路徑的電感很小。在暫態(tài)過(guò)程中,該電容器可在非常短的時(shí)間內(nèi)向器件提供超大量的電流。 未采用去耦電容的器件無(wú)法提供暫態(tài)電流,因此放大器的內(nèi)部節(jié)點(diǎn)會(huì)下垂(通常稱為干擾)。無(wú)去耦電容的器件其內(nèi)部電源干擾會(huì)導(dǎo)致器件工作不連續(xù),原因是內(nèi)部節(jié)點(diǎn)未獲得正確的偏置。



 PCB板中去耦電容的分類

  去耦電容在補(bǔ)償集成片或電路板工作電壓跌落時(shí)能起到儲(chǔ)能作用。它可以分成整體的、局部的和板間的三種。整體去耦電容又稱旁路電容,它工作于低頻(<1MHz)范圍狀態(tài),為整個(gè)電路板提供一個(gè)電流源,補(bǔ)償電路板工作時(shí)產(chǎn)生的ΔI噪聲電流,保證工作電源電壓的穩(wěn)定。它的大小為PCB上所有負(fù)載電容和的50~100倍。它應(yīng)放置在緊靠PCB外接電源線和地線的地方,印制線密度很高的地方。這不僅不會(huì)減小低頻去耦,而且還會(huì)為PCB上布置關(guān)鍵性的印制線提供空間。


  局部去耦電容有兩個(gè)作用。


  第一,出于功能上的考慮:通過(guò)電容的充放電使集成片得到的供電電壓比較平穩(wěn),不會(huì)由于電壓的暫時(shí)跌落導(dǎo)致集成片功能受到影響;


  第二,出于EMC考慮:為集成片的瞬變電流提供就近的高頻通道,使電流不至于通過(guò)環(huán)路面積較大的供電線路,從而大大減小向外的輻射噪聲。同時(shí)由于各集成片擁有自己的高頻通道,相互之間沒(méi)有公共阻抗,抑止了其阻抗耦合。局部去耦電容安裝在每個(gè)集成片的電源端子和接地端子之間,并盡量靠近集成片。


  板間去耦電容是指電源面和接地面之間的電容,它是高頻率時(shí)去耦電流的主要來(lái)源。板間電容可以通過(guò)增加電源層和接地層間面積來(lái)增大。在PCB中,一些接地面可以布到了電源層,移去這些接地面,用電源隔離區(qū)代之,可以增加板間電容。



PCB板中去耦電容的大小


  
在直流電源回路中,負(fù)載的變化會(huì)引起電源噪聲。例如在數(shù)字電路中,當(dāng)電路從一個(gè)狀態(tài)轉(zhuǎn)換為另一種狀態(tài)時(shí),就會(huì)在電源線上產(chǎn)生一個(gè)很大的尖峰電流,形成瞬變的噪聲電壓。配置去耦電容可以抑制因負(fù)載變化而產(chǎn)生的噪聲,是印制電路板的可靠性設(shè)計(jì)的一種常規(guī)做法,好的高頻去耦電容可以去除高到1GHz的高頻成分。陶瓷片電容或多層陶瓷電容的高頻特性較好。設(shè)計(jì)印制線路板時(shí),每個(gè)集成電路的電源、地之間都要加一個(gè)去耦電容。去耦電容有兩個(gè)作用:一方面是本集成電路的蓄能電容,提供和吸收該集成電路開(kāi)門關(guān)門瞬間的充放電能;另一方面旁路掉該器件的高頻噪聲。去耦電容的配置原則如下:


  1、電源分配濾波電容

  電源輸入端跨接一個(gè)10μF~100μF的電解電容器,如果印制電路板的位置允許,采用以上的電解電容器的抗干擾效果會(huì)更好。1μF,10μF電容,并行共振頻率在20MHz以上,去除高頻率噪聲的效果要好一些。在電源進(jìn)入印制板的地方和一個(gè)1μF或10μF的去高頻電容往往是有利的,即使是用電池供電的系統(tǒng)也需要這種電容。


  2、芯片配置去耦電容

  為每個(gè)集成電路芯片配置一個(gè)0.01μF的陶瓷電容器。數(shù)字電路中典型的去耦電容為0.1/μF的去耦電容有5nH分布電感,它的并行共振頻率在7MHz左右,也就是說(shuō)對(duì)于10MHz以下的噪聲有較好的去耦作用,對(duì)40MHz以上的噪聲幾乎不起作用。如遇到印制電路板空間小而裝不下時(shí),可每4~10個(gè)芯片配置一個(gè)1μF~10μF鉭電解電容器,這種器件的高頻阻抗特別小,在500kHz~20MHz范圍內(nèi)阻抗小于1μF~10μF而且漏電流很?。?.5μA以下)。去耦電容值的選取并不嚴(yán)格,可按C=1/f計(jì)算,即10MHz取0.1μF。對(duì)微控制器構(gòu)成的系統(tǒng),取0.1μF~0.01μF之間都可以。


  3、必要時(shí)加蓄放電容

  每10片左右的集成電路要加一片充放電電容,或稱為蓄放電容,電容大小可選10μF。通常使用的大電容為電解電容,但是在濾波頻率比較高時(shí),最好不用電解電容,電解電容是兩層薄膜卷起來(lái)的,這種卷起來(lái)的結(jié)構(gòu)在高頻時(shí)表現(xiàn)為電感,最好使用鉭電容或聚碳酸酯電容。
  

良好與糟糕 PCB 板面布局的對(duì)比
除了使用去耦電容器外,還要在去耦電容器、電源和接地端之間采取較短的低阻抗連接。 將良好的去耦合板面布局與糟糕的布局進(jìn)行了對(duì)比。應(yīng)始終嘗試著讓去耦合連接保持較短的距離,同時(shí)避免在去耦合路徑中出現(xiàn)通孔,原因是通孔會(huì)增加電感。大部分產(chǎn)品說(shuō)明書都會(huì)給出去耦合電容器的推薦值。如果沒(méi)有給出,則可以使用 0.1uF。


  PCB布板時(shí)去耦電容的擺放問(wèn)題
 
 相信對(duì)做硬件的工程師,畢業(yè)開(kāi)始進(jìn)公司時(shí),在設(shè)計(jì)PCB時(shí),老工程師都會(huì)對(duì)他說(shuō),PCB走線不要走直角,走線一定要短,電容一定要就近擺放等等。但是一開(kāi)始我們可能都不了解為什么這樣做,就憑他們的幾句經(jīng)驗(yàn)對(duì)我們來(lái)說(shuō)是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的哦,當(dāng)然如果你沒(méi)有注意這些細(xì)節(jié)問(wèn)題,今后又犯了,可能又會(huì)被他們罵,“都說(shuō)了多少遍了電容一定要就近擺放,放遠(yuǎn)了起不到效果等等”,往往經(jīng)驗(yàn)告訴我們其實(shí)那些老工程師也是只有一部分人才真正掌握其中的奧妙,我們一開(kāi)始不會(huì)也不用難過(guò),多看看資料很快就能掌握的。直到被罵好幾次后我們回去找相關(guān)資料,為什么設(shè)計(jì)PCB電容要就近擺放呢,等看了資料后就能了解一些,可是網(wǎng)上的資料很雜散,很少能找到一個(gè)很全方面講解的。工作兩年后,我看到了相關(guān)人士講的相關(guān)文章。下面這篇文章是我轉(zhuǎn)載于博士的一片關(guān)于電容去耦半徑的講解,相信你看了之后可以很牛x的回答和避免類似問(wèn)題的發(fā)生。


老師 問(wèn): 為什么去耦電容就近擺放呢?

學(xué)生 答: 因?yàn)樗杏行О霃脚叮诺倪h(yuǎn)了失效的。


  電容去耦的一個(gè)重要問(wèn)題是電容的去耦半徑。大多數(shù)資料中都會(huì)提到電容擺放要盡量靠近芯片,多數(shù)資料都是從減小回路電感的角度來(lái)談這個(gè)擺放距離問(wèn)題。確實(shí),減小電感是一個(gè)重要原因,但是還有一個(gè)重要的原因大多數(shù)資料都沒(méi)有提及,那就是電容去耦半徑問(wèn)題。如果電容擺放離芯片過(guò)遠(yuǎn),超出了它的去耦半徑,電容將失去它的去耦的作用。

  理解去耦半徑最好的辦法就是考察噪聲源和電容補(bǔ)償電流之間的相位關(guān)系。當(dāng)芯片對(duì)電流的需求發(fā)生變化時(shí),會(huì)在電源平面的一個(gè)很小的局部區(qū)域內(nèi)產(chǎn)生電壓擾動(dòng),電容要補(bǔ)償這一電流(或電壓),就必須先感知到這個(gè)電壓擾動(dòng)。信號(hào)在介質(zhì)中傳播需要一定的時(shí)間,因此從發(fā)生局部電壓擾動(dòng)到電容感知到這一擾動(dòng)之間有一個(gè)時(shí)間延遲。同樣,電容的補(bǔ)償電流到達(dá)擾動(dòng)區(qū)也需要一個(gè)延遲。因此必然造成噪聲源和電容補(bǔ)償電流之間的相位上的不一致。
  當(dāng)擾動(dòng)區(qū)到電容的距離達(dá)到時(shí),補(bǔ)償電流的相位為,和噪聲源相位剛好差180度,即完全反相。此時(shí)補(bǔ)償電流不再起作用,去耦作用失效,補(bǔ)償?shù)哪芰繜o(wú)法及時(shí)送達(dá)。為了能有效傳遞補(bǔ)償能量,應(yīng)使噪聲源和補(bǔ)償電流的相位差盡可能的小,最好是同相位的。距離越近,相位差越小,補(bǔ)償能量傳遞越多,如果距離為0,則補(bǔ)償能量百分之百傳遞到擾動(dòng)區(qū)。這就要求噪聲源距離電容盡可能的近,要遠(yuǎn)小于。實(shí)際應(yīng)用中,這一距離最好控制在之間,這是一個(gè)經(jīng)驗(yàn)數(shù)據(jù)。


  例如:0.001uF陶瓷電容,如果安裝到電路板上后總的寄生電感為1.6nH,那么其安裝后的諧振頻率為125.8MHz,諧振周期為7.95ps。假設(shè)信號(hào)在電路板上的傳播速度為166ps/inch,則波長(zhǎng)為47.9英寸。電容去耦半徑為47.9/50=0.958英寸,大約等于2.4厘米。


  本例中的電容只能對(duì)它周圍2.4厘米范圍內(nèi)的電源噪聲進(jìn)行補(bǔ)償,即它的去耦半徑2.4厘米。不同的電容,諧振頻率不同,去耦半徑也不同。對(duì)于大電容,因?yàn)槠渲C振頻率很低,對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)非常長(zhǎng),因而去耦半徑很大,這也是為什么我們不太關(guān)注大電容在電路板上放置位置的原因。對(duì)于小電容,因去耦半徑很小,應(yīng)盡可能的靠近需要去耦的芯片,這正是大多數(shù)資料上都會(huì)反復(fù)強(qiáng)調(diào)的,小電容要盡可能近的靠近芯片放置。



“旁路電容”和“去耦電容”


  今天在看CAN總線資料時(shí)突然看到can原理圖TJA1050 CAN收發(fā)器 電源管腳 外接電源時(shí)節(jié)了一個(gè)電容到地,突然想起昨天同事說(shuō) 布線時(shí)電源要先連接電容再接到芯片電源管腳那時(shí)不知所云,但是今天又遇到所以便開(kāi)始了我的“瞎琢磨”....


  這個(gè)電容到底有什么用呢?


為什么用的是0.1uf 大小的電容,這個(gè)值有沒(méi)有要求?


一查百度,發(fā)現(xiàn)他叫“旁路電容”,如果放在另外的位置它叫“去耦電容”,神奇呀!


下面我們來(lái)說(shuō)是“旁路電容”和“去耦電容”:(有點(diǎn)抄百度的節(jié)奏)

  

一.定義和區(qū)別

  旁路(bypass)電容:是把輸入信號(hào)中的高頻成分作為濾除對(duì)象;
去耦(decoupling)電容:也稱退耦電容,是把輸出信號(hào)的干擾作為濾除對(duì)象。
去耦電容和旁路電容都是起到抗干擾的作用,電容所處的位置不同,稱呼就不一樣了。

  
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  高頻旁路電容一般比較小,根據(jù)諧振頻率一般是0.1u,0.01u等,而去耦合電容一般比較大,是10u或者更大

  

二.作用

  去耦電容:
  去耦電容主要有2個(gè)作用:
(1)去除高頻信號(hào)干擾;
(2)蓄能作用;(而實(shí)際上,芯片附近的電容還有蓄能的作用,這是第二位的)


  高頻器件在工作的時(shí)候,其電流是不連續(xù)的,而且頻率很高,而器件VCC到總電源有一段距離,即便距離不長(zhǎng),在頻率很高的情況下,阻抗Z=i*wL+R,線路的電感影響也會(huì)非常大,會(huì)導(dǎo)致器件在需要電流的時(shí)候,不能被及時(shí)供給。而去耦電容可以彌補(bǔ)此不足。這也是為什么很多電路板在高頻器件VCC管腳處放置小電容的原因之一(在vcc引腳上通常并聯(lián)一個(gè)去耦電容,這樣交流分量就從這個(gè)電容接地。)


  附加:

  所謂的藕合:是在前后級(jí)間傳遞信號(hào)而不互相影響各級(jí)靜態(tài)工作點(diǎn)的元件 有源器件在開(kāi)關(guān)時(shí)產(chǎn)生的高頻開(kāi)關(guān)噪聲將沿著電源線傳播。去耦電容的主要功能就是提供一個(gè)局部的直流電源給有源器件,以減少開(kāi)關(guān)噪聲在板上的傳播和將噪聲引導(dǎo)到地。 從電路來(lái)說(shuō),總是存在驅(qū)動(dòng)的源和被驅(qū)動(dòng)的負(fù)載。如果負(fù)載電容比較大,驅(qū)動(dòng)電路要把電容充電、放電,才能完成信號(hào)的跳變,在上升沿比較陡峭的時(shí)候,電流比較大,這樣驅(qū)動(dòng)的電流就會(huì)吸收很大的電源電流,由于電路中的電感,電阻(特別是芯片管腳上的電感,會(huì)產(chǎn)生反彈),這種電流相對(duì)于正常情況來(lái)說(shuō)實(shí)際上就是一種噪聲,會(huì)影響前級(jí)的正常工作。這就是耦合。 去耦電容就是起到一個(gè)電池的作用,滿足驅(qū)動(dòng)電路電流的變化,避免相互間的耦合干擾。


  為什么用的是0.1uf 大小的電容,這個(gè)值有沒(méi)有要求?


  有源器件在開(kāi)關(guān)時(shí)產(chǎn)生的高頻開(kāi)關(guān)噪聲將沿著電源線傳播。去耦電容的主要功能就是提供一個(gè)局部的直流電源給有源器件,以減少開(kāi)關(guān)噪聲在板上的傳播和將噪聲引導(dǎo)到地。


  去耦電容在集成電路電源和地之間有兩個(gè)作用:一方面是本集成電路的蓄能電容,另一方面旁路掉該器件的高頻噪聲。數(shù)字電路中典型的去耦電容值是0.1μF。這個(gè)電容的分布電感的典型值是5μH。0.1μF的去耦電容有5nH的分布電感,它的并行共振頻率大約在7MHz左右,也就是說(shuō),對(duì)于10MHz以下的噪聲有較好的去耦效果,對(duì)40MHz以上的噪聲幾乎不起作用。1μF、10μF的電容,并行共振頻率在2MHz以上,去除高頻噪聲的效果要好一些。每10片左右集成電路要加一片充放電電容,或1個(gè)蓄能電容,可選10μF左右。最好不用電解電容,電解電容是兩層薄膜卷起來(lái)的,這種卷起來(lái)的結(jié)構(gòu)在高頻時(shí)表現(xiàn)為電感。要使用鉭電容或聚碳酸酯電容。去耦電容的選用并不嚴(yán)格,其電容值可按C=1/F來(lái)計(jì)算,即10MHz取0.1μF,100MHz取0.01μF。


  簡(jiǎn)單總結(jié)——去耦電容和旁路電容都是起到抗干擾的作用。對(duì)于同一電路來(lái)說(shuō),旁路電容是把輸入信號(hào)中的高頻噪聲作為濾除對(duì)象,把前級(jí)攜帶的高頻雜波濾除,而去耦電容也稱退耦電容,是把輸出信號(hào)的干擾作為濾除對(duì)象。去耦電容用在放大電路中不需要交流的地方,用來(lái)消除自激,使放大器穩(wěn)定工作。

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